数码科技
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为什么氮化镓半导体比砷化镓强
氮化镓材料加持的T/R组件比砷化镓的T/R组件更具优势。比如它的熔断温度最高可以达到1700度，这个温度是砷化镓的3倍，这让相控阵雷达具有更高的功率，更长的工作时间，其次它的禁带带宽是3.4eV，是砷化镓的3倍，能量密度更是砷化镓的10倍。这能力在T/R组件上的表现不是简单的加法，而是乘法。氮化镓几乎在所有的技术指标上均大幅超过了砷化镓，当然也有超出不多的，比如模块效率，砷化镓T/R组件的模块效率为30%左右，氮化镓T/R组件的模块效率能够达到48%。虽然高出了50%多点，但是氮化镓的能量密度太大，开机即10倍耗能，这将影响飞机的飞行指标，好在相控阵雷达可以单独控制阵子的开关机。
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